大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)c42排列组合公式怎么算，A42排列组合公式署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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